RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
19.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
16.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
59
Rund um -119% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
19.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
16.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
3784
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link