Comparaison de la RAM Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB

Note globale

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

4 19.1

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

2,123.3 16.2

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

27 59

Autour de -119% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

17000 6400

Autour de 2.66 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

731 3784

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns