RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
22.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
16.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
59
Rund um -103% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
22.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
16.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
3792
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link