Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Средняя оценка

Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 22.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,123.3 16.9

Среднее значение в тестах

Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 59

Около -103% меньшая задержка
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

59 29
Скорость чтения, Гб/сек

4,833.8 22.8
Скорость записи, Гб/сек

2,123.3 16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

731 3792

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9965525-144.A00LF 8GB

Kingston 9965525-144.A00LF 8GB

Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB

Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB

модули RAM

Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB

Kingston KHX2400C15/16G 16GB

Kingston KHX2400C15/16G 16GB

модули RAM

Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB

Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB

Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB

Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Maxsun MSD44G24Q0 4GB

Maxsun MSD44G24Q0 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB

SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Panram International Corporation M424051 4GB

Panram International Corporation M424051 4GB

модули RAM

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905702-008.A00G 8GB

Kingston 9905702-008.A00G 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

Kingston 9905702-150.A00G 8GB

Kingston 9905702-150.A00G 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB

Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB

модули RAM

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB

Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB

Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Kingston 9965600-023.A00G 16GB

Kingston 9965600-023.A00G 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB

Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB

модули RAM

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G

модули RAM