RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
59
Rund um -55% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
11.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
2988
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link