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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
59
左右 -55% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
38
读取速度,GB/s
4,833.8
14.3
写入速度,GB/s
2,123.3
11.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2988
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
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