RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
59
60
Rund um 2% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
2,123.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
60
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
8.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
2129
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link