RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
59
60
Por volta de 2% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.8
2,123.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
60
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
8.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
2129
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link