RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
59
60
Por volta de 2% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.8
2,123.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
60
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
8.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
2129
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link