RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
59
Rund um -157% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
12.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
2723
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link