RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
59
Autour de -157% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
23
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
2723
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link