RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
77
Autour de -208% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
25
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
19.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3774
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB Comparaison des RAM
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link