RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Comparez
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Note globale
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
64
Autour de -178% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
6.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
5.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
64
23
Vitesse de lecture, GB/s
6.7
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
5.0
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1260
2495
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link