RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Confronto
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
64
Intorno -178% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.6
6.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
5.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
64
23
Velocità di lettura, GB/s
6.7
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
5.0
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1260
2495
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link