RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
54
Intorno -135% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.6
9.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
23
Velocità di lettura, GB/s
9.2
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2105
2495
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link