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Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Confronto
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB vs SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
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Motivi da considerare
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
44
64
Intorno -45% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.3
6.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.8
5.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
64
44
Velocità di lettura, GB/s
6.7
12.3
Velocità di scrittura, GB/s
5.0
7.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1260
1977
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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