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Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB vs SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
44
64
En -45% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.3
6.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
5.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
64
44
Velocidad de lectura, GB/s
6.7
12.3
Velocidad de escritura, GB/s
5.0
7.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1260
1977
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR533D2N4 512MB
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G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
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