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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Compara
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Puntuación global
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Puntuación global
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
58
64
En 9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
2,107.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
64
Velocidad de lectura, GB/s
4,025.3
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
670
2052
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
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