RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Porównaj
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
58
64
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
2,107.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
64
Prędkość odczytu, GB/s
4,025.3
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,107.0
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
670
2052
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link