RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Сравнить
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
58
64
Около 9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
16.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.3
2,107.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
64
Скорость чтения, Гб/сек
4,025.3
16.8
Скорость записи, Гб/сек
2,107.0
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
670
2052
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link