RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Porównaj
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
64
Wokół strony -178% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
6.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
5.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
23
Prędkość odczytu, GB/s
6.7
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.0
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1260
2495
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link