RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
10.3
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
36
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
17000
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
2734
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link