Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    42 left arrow 43
    Wokół strony 2% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    12.5 left arrow 12
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    8.8 left arrow 7.2
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    42 left arrow 43
  • Prędkość odczytu, GB/s
    12.0 left arrow 12.5
  • Prędkość zapisu, GB/s
    7.2 left arrow 8.8
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1933 left arrow 1993
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania