RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
pl
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Powody do rozważenia
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    42 left arrow 43
    Wokół strony 2% niższe opóźnienia
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Zgłoś błąd
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    12.5 left arrow 12
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    8.8 left arrow 7.2
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    42 left arrow 43
  • Prędkość odczytu, GB/s
    12.0 left arrow 12.5
  • Prędkość zapisu, GB/s
    7.2 left arrow 8.8
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1933 left arrow 1993

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB

SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB Porównanie pamięci RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Pamięć RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Pamięć RAM
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Pamięć RAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Pamięć RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Pamięć RAM
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Pamięć RAM
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Pamięć RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Pamięć RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Pamięć RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Pamięć RAM
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Pamięć RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Pamięć RAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Pamięć RAM
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Pamięć RAM