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Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
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Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
42
43
Por volta de 2% menor latência
Razões a considerar
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.5
12
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.8
7.2
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
42
43
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
12.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
8.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
12800
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1933
1993
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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