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Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB

Puntuación global
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Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB

Puntuación global
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SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    42 left arrow 43
    En 2% menor latencia
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    12.5 left arrow 12
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.8 left arrow 7.2
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    42 left arrow 43
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.0 left arrow 12.5
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.2 left arrow 8.8
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1933 left arrow 1993

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