RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
15.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
77
En -208% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
25
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
19.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
3774
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link