RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
59
Rund um -168% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
14.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
3430
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF186D.M16 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link