RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
59
Wokół strony -168% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3430
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link