RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
40
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
40
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2772
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
SK Hynix V-GeN D3H8GL1600RN 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link