RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
40
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
40
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2772
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link