RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
40
Autour de 40% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
40
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2772
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link