RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
40
En 40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
12.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
40
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2772
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link