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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
46
En -15% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
40
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2772
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-039.A00LF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
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