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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
総合得点
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
総合得点
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
2
15.6
テスト平均値
考慮すべき理由
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
40
46
周辺 -15% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
12.7
1,519.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
3200
周辺 5.31 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
40
読み出し速度、GB/s
2,909.8
15.6
書き込み速度、GB/秒
1,519.2
12.7
メモリ帯域幅、mbps
3200
17000
Other
商品説明
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
241
2772
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
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A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
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