RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
40
Около 40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.7
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
40
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2772
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link