RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
40
Около 40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.7
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
40
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2772
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link