RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
12
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
59
Rund um -146% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.6
2,123.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
12.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
6.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
1433
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link