RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
59
89
Rund um 34% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
2,123.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
89
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
7.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
1571
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link