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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
59
89
左右 34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.1
2,123.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
89
读取速度,GB/s
4,833.8
14.2
写入速度,GB/s
2,123.3
7.1
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
1571
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM的比较
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EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
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