RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
10.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
59
Rund um -136% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
10.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
2832
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link