Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB

Gesamtnote
star star star star star
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Gesamtnote
star star star star star
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB

G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB

Unterschiede

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4 left arrow 20.9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,123.3 left arrow 16.0
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    17 left arrow 59
    Rund um -247% geringere Latenzzeit
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 6400
    Rund um 2.66 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    59 left arrow 17
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4,833.8 left arrow 20.9
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,123.3 left arrow 16.0
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    731 left arrow 3550
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche