RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
16.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
59
Wokół strony -247% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
17
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3550
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link