RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
20.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
19.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
59
Rund um -195% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
20.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
19.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
4235
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link