RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
20.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
19.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
59
Около -195% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
20
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
20.7
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
19.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
4235
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link