RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
59
Rund um -64% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
15.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
3426
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link