RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
15.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
59
Intorno -64% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
36
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
15.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
3426
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link