RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
59
Rund um -136% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.3
2,123.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
13.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
6.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
1617
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMSA4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link