RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
59
Wokół strony -136% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.3
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
1617
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link