RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
59
Rund um -136% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
2,123.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
13.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
9.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
1944
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
KingSpec KingSpec 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link