RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
59
84
Rund um 30% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.0
2,123.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
84
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
12.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
7.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
1486
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
INTENSO 5641160 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link