RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
11.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
46
Rund um -53% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.1
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
3200
Rund um 5.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
11.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
6.1
Speicherbandbreite, mbps
3200
17000
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
1254
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link