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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
総合得点
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
総合得点
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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読み出し速度の高速化、GB/s
2
11.1
テスト平均値
考慮すべき理由
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
46
周辺 -53% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
6.1
1,519.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
3200
周辺 5.31 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
30
読み出し速度、GB/s
2,909.8
11.1
書き込み速度、GB/秒
1,519.2
6.1
メモリ帯域幅、mbps
3200
17000
Other
商品説明
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
タイミング / クロック速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
241
1254
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RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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