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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
11.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
46
En -53% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.1
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
30
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
11.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
6.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
1254
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
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